ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ
Article Sidebar
Main Article Content
Аннотация:
В этой статье рассказывается о полевых транзисторах в квантовых ямах.
Ключевые слова:
Article Details
Как цитировать:
Худайбергенов , А. . (2024). ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ. Универсальный индекс библиотеки молодых ученых, 2(27), 130–132. извлечено от https://inacademylib.com/index.php/uilyo/article/view/38083
Библиографические ссылки:
L.A.A.Warnes. «Diodes». Диссертация. London: Department of Electronic и Electrical Engineering Loughborough University of Technology, 1994 (цит. на с. 8, 10—12, 23).
Radha Setty. «MMIC Technologies: Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT)».IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques том 7, номер 5, (2021), с. 12 (цит. на с. 9, 12, 14—17, 21, 22, 25, 71).
Daniel M.Balazs и др. «Colloidal Quantum Dot Inks for Single-StepFabricated Field-Effect Transistors: The Importance of Postdeposition Ligand Removal». Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen (2018) (цит. на с. 15, 34—36).