ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Русский)
Nashr: Jild 2 Nomeri 27 : Молодые ученые
Bo'lim: Articles
##semicolon##

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

info@in-academy.uz

Abstrak:

В этой статье рассказывается о полевых транзисторах в квантовых ямах.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

##submission.howToCite##:

Худайбергенов , А. . (2024). ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА КВАНТОВЫХ ЯМАХ. Yosh Olimlar Universal Indeks Kutubxonasi, 2(27), 130–132. Retrieved from https://inacademylib.com/index.php/uilyo/article/view/38083

##submission.citations##:

L.A.A.Warnes. «Diodes». Диссертация. London: Department of Electronic и Electrical Engineering Loughborough University of Technology, 1994 (цит. на с. 8, 10—12, 23).

Radha Setty. «MMIC Technologies: Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT)».IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques том 7, номер 5, (2021), с. 12 (цит. на с. 9, 12, 14—17, 21, 22, 25, 71).

Daniel M.Balazs и др. «Colloidal Quantum Dot Inks for Single-StepFabricated Field-Effect Transistors: The Importance of Postdeposition Ligand Removal». Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen (2018) (цит. на с. 15, 34—36).